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本申请公开了一种栅极结构、其制作方法及闪存器件。其中，该栅极结构包括：第一栅极，包括中间栅极部和外侧栅极部，中间栅极部的两侧侧面与外侧栅极部的部分侧面相连，且外侧栅极部靠近中间栅极部的侧面呈台阶状；介电材料层，设置于第一栅极的上表面上，介电...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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