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本发明公开了一种MEMS多层线圈及其制备方法，该MEMS多层线圈包括底层线圈和顶层线圈，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。制备方法包括以下步骤：S1：在玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，刻蚀出底层线圈后去胶；S2：溅射...
该专利属于中国人民解放军国防科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科学技术大学授权不得商用。

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