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本发明公开了一种LED外延、芯片结构及其制作方法，其中芯片自下而上依次包括：导电基板、p型氮化物层、有源层、n型恢复层、n型氮化物层和n电极，其特征在于：所述n型氮化物层具有氮极性的晶体和镓极性的晶体，且所述氮极性和镓极性区域的表面呈现高度...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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