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一种III族氮化物晶体管包括III族氮化物沟道层、在沟道层上方的势垒层、在势垒层的顶部上的介电层、接触沟道层的源极、接触沟道层的漏极、延伸通过介电层和势垒层并且其底部位于沟道层内的栅极沟槽、内衬栅极沟槽并在介电层上方延伸的栅极绝缘体,和在栅...
该专利属于HRL实验室有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过HRL实验室有限责任公司授权不得商用。

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