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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构，在栅极结构两侧的半导体衬底中分别形成有重掺杂漏区和重掺杂源区；在重掺杂漏区中形成具有非竖直侧壁轮廓的沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁下部...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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