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本发明提供一种碳纳米管阵列复合膜的制备方法及换热器，包括如下步骤：S1，在单晶硅(100)基底上依次沉积Al2O3薄膜和Fe薄膜作为催化剂；S2，将真空化学气相沉积设备加热至830～850℃，通入乙烯气体作为碳源，水分辅助生长碳纳米管阵列；...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。

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