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形成晶体管的方法、衬底图案化的方法及晶体管技术
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文档序号:13114880
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一种形成包括栅极电极的晶体管的方法,包括:在半导体衬底(100)之上形成牺牲层(140),在牺牲层(140)之上形成图案层(150),将图案层(150)图案化为经图案化的结构,形成与经图案化的结构的侧壁相邻的间隔物(160),去除经图案化的...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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