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本发明提供了一种高电压MiP电容器，包括：多晶硅极板，置于所述高电压MiP电容器的底部作为其第一下极板；第一金属极板，置于所述高电压MiP电容器的顶部作为其第二下极板；第二金属极板，设置于所述多晶硅极板和所述第一金属极板之间，作为所述高电压...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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