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硅栅石墨烯/黑磷晶体管及制备方法，涉及半导体器件技术。本发明的晶体管包括衬底、栅电极、栅介质、源电极和漏电极，其特征在于，衬底上设置有隔离氧化硅层，隔离氧化硅层上设置有氧化硅槽，在氧化硅槽内设置有栅电极和栅介质，基底表面上设置有石墨烯/黑磷...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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