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本发明涉及一种由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法，对已经完成正面工序、并在正面带有保护胶的硅片上进行制作，⑴、在硅片正面用离子注入方式将氢离子注入到有源区P型掺杂区中，在硅片的P型杂质区中由撞击而产生微缺陷；⑵、将硅片正面保护...
该专利属于江苏宏微科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏宏微科技股份有限公司授权不得商用。

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