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本发明的实施方式提供一种结晶缺陷的增长受到抑制的半导体发光元件及光耦合装置。实施方式的半导体发光元件具备具有发光层的半导体积层体，该发光层包含应变量子阱构造，该应变量子阱构造包含：n层(n：1以上10以下的整数)阱层，包含Inx(Ga1－y...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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