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实施方式的半导体装置包括：第二导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一栅极电极、第一区域、以及第二区域。第一栅极电极隔着第一绝缘膜而设置在第二半导体区域、第三半导体区域...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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