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本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法，包括步骤：形成沟槽；形成由依次叠加的第一氧化膜、第二氮化膜和第三氧化膜组成底部介质层；形成第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行回刻形成多晶硅屏蔽栅；采用热氧化工艺形成多晶硅间隔离氧化层；...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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