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本发明提供了一种互连结构的形成方法。包括在半导体衬底上形成介质层后，在所述介质层上形成氧化硅掩模层，用以形成硬掩模。所述氧化硅掩模层的形成步骤包括：先在介质层上形成四乙基原硅酸盐层，之后，对所述四乙基原硅酸盐层进行氧等离子体处理，使氧等离子...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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