温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种SOI晶圆的激光标记方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI晶圆；在其正面依次形成第一介质层及第二介质层；S2：在所述SOI晶圆正面形成激光标记区开口及若干浅沟槽隔离区开口，开口底部均到达所述埋氧层表面；S3：从所述SOI晶...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。