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本发明涉及碳化硅半导体器件。提供了一种可用于在负载短路时抑制元件损坏的碳化硅半导体器件。MOSFET包括碳化硅层、栅极绝缘膜、栅电极、源电极和漏电极。碳化硅层包括漂移区、体区和源极区。MOSFET被配置成使得在碳化硅层的厚度方向和体区中载流...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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