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实施方式的半导体装置包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层上设置在单元部与单元部外侧设置着的终端部的交界；第二导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层上设置在所述终端部；第一绝缘层，在所述第一半导体层上...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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