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本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高半导体器件性能的方法。本方法包括：提供一衬底，于衬底上形成侧墙；于侧墙间隔的衬底内形成U型硅腔；处理U型硅腔，以形成Σ型硅腔。本发明通过改变硅腔基底的形貌，形成一个新的形貌的硅腔，以提高载流子的迁移率，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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