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本发明公开了一种阴极结嵌入P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管，其结构为：阳极欧姆电极/P+型纳米硅层/N-型晶体硅衬底/N+型纳米硅层/阴极欧姆电极，N-型晶体硅衬底与N+型纳米硅层之间构成阴极异质结，该阴极异质结内嵌入设置P+...
该专利属于温州大学所有，仅供学习研究参考，未经过温州大学授权不得商用。

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