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本发明提供了一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有栅极结构；采用干法刻蚀对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行刻蚀，以形成凹槽；采用湿法刻蚀对所述凹槽侧壁的半导体衬底进行腐蚀；在所述凹槽中填充压应力材料；其中，...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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