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本发明涉及一种制备纳米级高纯氮化硅的方法,使用四氯化硅和氨为原料，在-60℃～-35℃的低温环境内，通过溶解在有机烃中的四氯化硅与氨之间的液相反应，合成氮化硅的前驱物Si(NH)2，之后纯化得到Si(NH)2粉末，最后将前驱物Si(NH)2...
该专利属于韩召;刘在翔所有，仅供学习研究参考，未经过韩召;刘在翔授权不得商用。

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