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本发明涉及一种二硅化钼/碳化硅/碳化硼三相强度复合陶瓷的制备方法。该方法使用MoSi2、C及B4C元素粉模压成型，通过调整真空度并熔渗Si进行烧结，获得MoSi2/SiC/B4C三相强度复合陶瓷，所得材料孔隙率在10%或以下，强度大于180...
该专利属于中原工学院所有，仅供学习研究参考，未经过中原工学院授权不得商用。

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