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本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高具有完全耗尽型SOI晶体管的半导体装置的可靠性以及性能。将在栅极电极(GE)的侧壁形成的偏移隔离部(OF)的宽度(Losw)设定为半导体层(SL)的厚度(Tsi)以上且半导体层(SL)的厚度(Tsi)与...
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