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本发明公开了一种通过C离子注入降低CMOS图像传感器白像素的方法，针对传统CMOS图像传感器白像素较高的问题，通过采用离子注入工艺，在光电二极管周围的P+型隔离区中注入一定浓度的C离子，并通过高温退火工艺，促进P+型隔离区中C离子对氧气的聚...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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