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本发明公开一种二极管的模压工艺,所述模压的具体步骤是:步骤a、喷涂导热硅脂;所述喷涂导热硅脂,是将工件放置在喷涂设备的工作台上,然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂,并形成...该专利属于常州银河世纪微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州银河世纪微电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种二极管的模压工艺,所述模压的具体步骤是:步骤a、喷涂导热硅脂;所述喷涂导热硅脂,是将工件放置在喷涂设备的工作台上,然后用喷涂设备的喷涂口对着二极管芯片和引线框架的表面、以及二极管芯片与引线框架的连接部位进行喷涂导热硅脂,并形成...