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本发明公开了一种TSV通孔侧壁的平坦化方法，包括以下步骤：首先提供半导体衬底，并对半导体衬底进行刻蚀，以在半导体衬底内得到通孔；接着采用CVD工艺在通孔的侧壁淀积二氧化硅薄膜；再接着采用湿法刻蚀工艺对二氧化硅薄膜进行部分刻蚀；然后采用氟化氙...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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