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本发明涉及一种双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法，该方法包括: (1)将所述MOS芯片固定在所述下支架(a)和所述上支架(b)之间；(2)测试所述MOS芯片未施加双轴应力前的第一输出特性曲线；(3)将所述顶头(c)放置在位于所...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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