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一种Ge量子点的制备方法及其应用技术
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文档序号:12399269
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本发明涉及一种Ge量子点的制备方法,该方法为室温下直接在石墨烯上生长Ge量子点。该方法提供了一种可以实现小尺寸、高密度Ge量子点的制备方法,无需后续退火等复杂工艺,简化了工艺流程。本发明利用了石墨烯与Ge量子点的低相容性,保证了Ge量子点的...
该专利属于云南大学所有,仅供学习研究参考,未经过云南大学授权不得商用。
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