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一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成浅沟槽；在所述浅沟槽的底部和侧壁形成衬氧化层；在形成所述衬氧化层之后，进行清洗工艺；在所述清洗工艺之后，对所述衬氧化层进行高温退火处理；采用绝缘材料填充满所述浅沟槽...
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