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本发明公开了一种晶圆表面撕金去胶方法，属于半导体去胶技术以及晶圆表面金属剥离技术领域。该方法首先利用向晶圆表面喷射高压NMP的方式去除晶片表面残余光刻胶和金属，然后利用IPA溶解去除去胶后晶圆表面的NMP。本去胶方法适用于全自动晶圆表面去胶...
该专利属于沈阳芯源微电子设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳芯源微电子设备有限公司授权不得商用。

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