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本实用新型属于晶体制备领域，特别涉及一种氮化铝晶体的生长装置及对应的工艺。本实用新型提供温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺，具有温度场控制精确、操作性强等优点，由此发展的相应生长工艺符合氮化铝晶体的结晶特性。该制备装置包括顶加热器、中加热...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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