下载一种超结结构的制备方法的技术资料

文档序号:12205393

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本发明提供了一种超结结构的制备方法,属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤:1)在衬底上制备第一N型外延层;2)采用多次高能离子注入工艺,在第一N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质,形成第一注入区;3)在第一N型外延层和第一注入区上...
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