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本发明提供一种全包围栅极结构的制造方法，先采用图形化掩膜层刻蚀半导体衬底形成鳍体，然后形成与鳍体顶部齐平的层间介质层，在第一次回刻蚀层间介质层后，形成了刻蚀比不同的侧墙半导体层来作为后续的悬空沟道，去除鳍体顶部的掩膜层后，通过对鳍体进行刻蚀...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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