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本实用新型公开了一种沟槽肖特基二极管终端结构，包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧还设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽，且所述第一沟槽的一侧设有一终端环结构。本实用新型由于第一沟槽对N型硅外延层的耗尽作用，第一沟槽...
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