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一种半导体存储器件包括：绝缘图案和导电图案，其彼此交替地层叠；穿通结构，其穿通绝缘图案和导电图案；以及沉积抑制层，其形成在绝缘图案和导电图案之间的相应界面的一个端部上。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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