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制造具有相变层的半导体集成电路的方法技术
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文档序号:12099500
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一种制造半导体集成电路的方法包括:在半导体衬底中形成下电极;在半导体衬底上形成包括暴露出下电极的相变区的层间绝缘层;沿着层间绝缘层和暴露出的下电极的表面形成具有晶体状态的第一相变层;以及基于所述第一相变层的结晶性在第一相变层上生长第二相变层...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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