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衬底包括具有上表面的III-V族材料和缓冲层，所述缓冲层具有不大于约1.3μm的厚度并且覆盖在衬底的上表面上。多个光电子器件形成于衬底上，并且在约400nm到约550nm之间的范围内的波长具有不大于约0.0641nm/cm2的归一化的光发射...
该专利属于圣戈班晶体及检测公司所有，仅供学习研究参考，未经过圣戈班晶体及检测公司授权不得商用。

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