温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种不对称深度微沟槽电极。该不对称深度微沟槽电极在圆柱形的电极整个圆周上沿轴向布有V形的微沟槽，微沟槽的深度呈上下逐渐变深趋势，从上到下左右对称地为第二微沟槽到第n微沟槽，微沟槽的沟槽深度变化规律为：hn＝h(n‐1)+D/...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。