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本方法通过对PVT法碳化硅晶体生长过程中使用的高纯石墨件及保温材料经过一系列的处理，去除或减少生长过程中的V、N、B、Al等致色掺杂元素，并且在生长过程中通入经过纯化的、以惰性气体为载体的、含有一定量的氯基气体和含氢气体的混合气体，在生长过...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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