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一种基于场效应管结构的阻变存储器，包括源级、一维硒化镉/碳杂化纳米材料、漏极、二氧化硅氧化层、P型硅片、栅极、封装层；在二氧化硅氧化层中间水平放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料；在一维硒化镉/碳杂化纳米材料两端以及P型硅底面中心点上银浆，分...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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