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本发明公开了一种新型的高面积效率低压触发可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区，所述P型衬底上沿横向依次设置...
该专利属于江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司授权不得商用。

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