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本发明提供了一种p型金属氧化物半导体材料及其制备方法。该p型金属氧化物半导体材料具有化学式：In(1-a)Ga(1-b)Zn(1+a+b)O4其中0≤a≤0.1、0≤b≤0.1、以及0＜a+b≤0.16，且该p型金属氧化物半导体材料具有一空...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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