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本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方...
该专利属于首尔伟傲世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过首尔伟傲世有限公司授权不得商用。

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