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本发明公开了一种半导体装置，包含一基板、一第一阱区(well)及一第二阱区，形成在基板之中。第一阱区具有一第一导电类型(conductivity type)。第二阱区具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。半导体装置包含具有第一导电类型的一...
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