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本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。本发明的薄膜晶体管阵列基板，存储电容的两电极板之间的栅极绝缘层的厚度小于其他部分的栅极绝缘层的厚度，存储电容间绝缘层厚度较薄，电容相对面积较小，具有较高的开口率。本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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