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一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有第一导电层，第一导电层表面具有牺牲层，牺牲层表面具有掩膜层，掩膜层暴露出部分牺牲层表面；以掩膜层为掩膜，刻蚀牺牲层，直至暴露出第一导电层为止，在牺牲层内形成第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。