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本发明公开了一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法。该电池具有p型非晶层和n型非晶层。该方法是：按照沉积膜层的顺序，在沉积多结多叠层的薄膜太阳能电池p型微晶层之后，沉积一层p型非晶层；并在沉积微晶本征层之后，沉积一层...
该专利属于湖南共创光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南共创光伏科技有限公司授权不得商用。

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