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本申请公开了一种改善ESD防护能力的JFET，保持源极到漏极的距离c不变，减小源极到栅极的距离a同时增大漏极到栅极的距离b，以提高该JFET的ESD防护能力。通过以上结构设计，本申请可以在不增加JFET面积、不降低JFET其他性能的前提下，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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