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本发明公开了利用刷新操作编程和擦除存储单元的方法和系统。系统包括选择模块、处理模块和刷新模块。在方法中,首先,从存储器件中的多个存储单元中选择目标存储单元。之后,通过将选择电压施加至属于矩阵的线的目标存储单元和位置相关的存储单元,编程或擦除...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了利用刷新操作编程和擦除存储单元的方法和系统。系统包括选择模块、处理模块和刷新模块。在方法中,首先,从存储器件中的多个存储单元中选择目标存储单元。之后,通过将选择电压施加至属于矩阵的线的目标存储单元和位置相关的存储单元,编程或擦除...