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本发明涉及太阳能电池接触结构。在各种实施方式中，太阳能电池可以包括：由硅制成的太阳能电池晶片衬底，该硅的主要成分是具有与一个晶片边缘平行的{111}晶面的单晶结构；电介质层，设置在太阳能电池晶片衬底的后侧上；多个接触开口，其延伸穿过电介质层...
该专利属于太阳世界工业美国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过太阳世界工业美国有限公司授权不得商用。

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